Name: Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN1032UCB4-7
Availability: InStock
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Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7

Artikelnummer:

DMN1032UCB4-7

Hersteller / Marke:

Diodes Incorporated

Teil der Beschreibung.:

MOSFET N-CH 12V 4.8A U-WLB1010-4

Datenblätte:

1.DMN1032UCB4-7.pdf ···: 2D -Zeichnungen
Mult Dev Wafer Chgs 3/Feb/2021.pdf Diodes Environmental Compliance Cert.pdf Mult Dev EOL 22/Nov/2021.pdf

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Diodes Incorporated DMN1032UCB4-7 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments DMN1032UCB4-7.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	U-WLB1010-4
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 1A, 4.5V
Verlustleistung (max)	900mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	4-UFBGA, WLBGA
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5 nC @ 4.5 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4.8A (Ta)
Grundproduktnummer	DMN1032
DMN1032UCB4-7 Einzelheiten PDF [English]	DMN1032UCB4-7 PDF - EN.pdf

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Die Rückgaben müssen innerhalb von 60 Tagen nach dem Datum der Rechnung angefordert werden und enthalten:
- Originalrechnungsnummer
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- Kurzer Erläuterung oder Testbericht, in denen der Grund für die Rückkehr angegeben ist
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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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Wir inspizieren alle Waren vor dem Versand, um sicherzustellen, dass sie in ausgezeichnetem Zustand sind, und überprüfen, ob die Teile neu, originell sind, und entsprechen den Datenblattspezifikationen.Nachdem wir bestätigt haben, dass alles in Ordnung ist, verpacken wir die Artikel sicher und versenden sie über Global Express.